3D nand qlc, Intel bygger 10 millioner solid state drev

I sidste uge producerede Intel-hukommelses- og opbevaringsgruppen det 10 millioner. QLC 3D NAND solid state drive (SSD) baseret på NAND die QLC bygget i Dalian, Kina.

Intel bygger 10 millioner 3D NAND QLC Solid State-drev

Produktionen startede i slutningen af ​​2018, og denne milepæl etablerer QLC (Quad Level Cellular Memory) som en kerneteknologi til drev med høj kapacitet.

Nedenfor er en oversigt over nogle af resultaterne af 3D NAND QLC- enheder, som Intel for nylig har opnået.

• Intel QLC 3D NAND bruges i Intel SSD 660p, Intel SSD 665p og Intel Optane Memory H10 opbevaringsløsninger. Intel QLC- drev har 4 bit pr. Celle og gemmer data i 64- og 96-lags NAND-konfigurationer. Intel har udviklet denne teknologi i det sidste årti. I 2016 ændrede Intel-ingeniører retningen af ​​den beviste flydende dør (FG) -teknologi til lodret og indpakket den i en komplet dørstruktur. Den resulterende tricellulære niveau (TLC) -teknologi kunne lagre 384 Gb / die. I 2018 kom 3D QLC-flash i opfyldelse, med 64 lag med fire bit pr. Celle, der var i stand til at gemme 1.024 Gb / die. I 2019 gik Intel til 96 lag, hvilket reducerede den totale arealtæthed.

Besøg vores guide til markedets bedste SSD-drev

QLC er nu en del af Intels samlede lagringsportefølje, der inkluderer både kunde- og datacenterprodukter.

Intel ser ud til at være tilfreds med ydeevnen på sine solid state drev, især på grund af succes med 660p og 665p modeller.