Samsung vil opgive finfet-teknologi ved 3nm, planlagt til 2022

Under Samsung Foundry Forum 2018-begivenheden afslørede den sydkoreanske gigant en række nye forbedringer i sin processteknologi rettet mod højtydende computere og tilsluttede enheder. Virksomheden vil opgive FinFET-teknologi ved 3nm.

Samsung erstatter FinFET med en ny transistor med 3 nm, alle detaljer

Samsu ng's nye køreplan fokuserer på at give kunderne mere energieffektive systemer til enheder, der er målrettet mod en lang række industrier. Charlie Bae, administrerende vicepræsident og direktør for salg og marketing for støberiet, siger: "Tendensen mod en smartere, mere forbundet verden gør industrien mere krævende af siliciumleverandører."

Vi anbefaler at læse vores indlæg om Samsung vil forbedre kunstige intelligensfunktioner med Bixby 2.0 på Galaxy Note 9

Samsungs næste processteknologi er Low Power Plus 7nm baseret på EUV-litografi, som vil gå ind i masseproduktionsfasen i andet halvår af dette år og vil udvide i løbet af første halvdel af 2019. Det næste trin vil være den lave proces. Power Early 5nm, der forbedrer energieffektiviteten på 7nm til et nyt niveau. Disse processer vil stadig være baseret på FinFET-teknologi, ligesom den næste ved 4nm.

FinFET-teknologien vil blive opgivet med overgangen til 3nm Gate-All-Around Early / Plus-processen, som vil være baseret på en nyere type transistor, der gør det muligt at løse de fysiske skaleringsproblemer, der findes i FinFET. Der er stadig ganske mange år tilbage, før denne fremstillingsproces ankommer til 7 nm, de første skøn peger på året 2022, skønt den mest normale ting er, at der er nogle forsinkelser involveret.

Vi kommer nærmere siliciumgrænsen, anslået til 1 nm, hvilket gør det sværere at komme videre med nye produktionsprocesser, og hullerne bliver mindre.

Techspot-font