Samsung annoncerer 3nm mbcfet-proces, 5nm ankommer i 2020

På det mobile SoC-marked bevæger TSMC sig hurtigt, når det gælder introduktion af nye produktionsprocessenoder. I dag har den koreanske tech-gigant Samsung annonceret planer for en række procesknudepunkter. Disse inkluderer 5nm FinFET og en 3nm GAAFET- variation, som Samsung har registreret som MBCFET (Multi-Bridge-Channel-FET).

Samsung annoncerer 3nm MBCFET-proces

I dag på Samsung Foundry Forum i Santa Clara har virksomheden annonceret planer for sin næste generations halvlederproduktionsproces. Den store meddelelse er for udviklingen af ​​Samsungs 3nm GAA, der er døbt 3GAE af virksomheden. Samsung har bekræftet, at det frigav designkits til noden i sidste måned.

Samsung samarbejdede med IBM om GAAFET (Gate-All-Around) procesknudepunkter, men i dag har virksomheden annonceret sine tilpasninger til den foregående proces. Dette kaldes MBCFET, og ifølge virksomheden tillader det en højere strøm pr. Batteri ved at erstatte Gate All Around nanowire med en nanoscale. Udskiftningen øger køreområdet og tillader tilføjelse af flere døre uden at øge sidefodaftrykket. Meget tekniske data, men med et resultat, der i høj grad skulle forbedre udviklingen af ​​FinFET.

Produktdesign til Samsungs 5nm FinFET- proces, der blev udviklet i april, forventes at være afsluttet i andet halvår af dette år og sat i masseproduktion i første halvdel af 2020.

I andet halvår af dette år planlægger Samsung at starte masseproduktion af 6nm procesenheder og afslutte udviklingen af ​​4nm processen. Produktdesign til Samsungs 5nm FinFET-proces, der blev udviklet i april, forventes at være afsluttet i andet halvår af dette år og sat i masseproduktion i første halvdel af 2020.

Wccftechguru3d Skrifttype