Samsung annoncerer sine nye minder v

SSD-lagringsteknologi forbedrer sig fortsat i gigantiske fremskridt, og Samsung er på forkant med innovation og annoncerer den femte generation af V-NAND, hvilket vil øge antallet af lag til 96 med relativt få andre designændringer. Den femte generation vil indeholde Samsungs første QLC NAND-flash (fire bit pr. Celle) med en kapacitet på 1 TB (128 GB) pr. Matrice.

96-lags V-NAND-minder: Mere opbevaring, holdbarhed og mindre forbrug

Sidste år annoncerede Samsung sin fjerde generation af 3D NAND med et 64-lags design. Denne fjerde generation af V-NAND er nu i produktion og vil blive brugt i mange produkter i de kommende måneder. De fleste produkter bruger 256 GB eller 512 GB TLC-arrays. Sammenlignet med tredje generation af 48-lags V-NAND tilbyder 64-lags V-NAND den samme læseevne, men ca. 11% højere skriveydelse.

Strømforbruget er forbedret 'markant', med den aktuelle strøm til en læseoperation faldet med 12% og for en programdrift er det krævede strømforbrug faldet med 25%. Samsung hævder, at dens 64-lags V-NAND i en TLC-konfiguration kan vare fra 7.000 til 20.000 program / sletningscyklusser, så med denne nye 96-lagers hukommelse har enheder en længere levetid.

Samsungs annoncerede SSD'er baseret på tidligere V-NAND-teknologier inkluderer en 2, 5 ′ 128 TB QLC-baseret SAS SSD. For denne enhed stabler Samsung 32 matrixer pr. Pakke, i alt 4 TB på hver BGA-enhed.

Dette er et nyt skridt i den nærmeste fremtid for at begynde at trække magnetiske lagerdrev.

Kilde: anandtech