Samsung begynder produktionen af ​​sine nye emram-minder

Samsung Electronics annoncerede i dag, at det er startet serieproduktion af sine nye eMRAM- minder ved hjælp af en 28-nanometer fremstillingsproces (FD-SOI).

Samsungs eMRAM-minder lover at revolutionere branchen

MRAM-hukommelse har været under udvikling i mange år, og det er ikke-flygtig magnetisk RAM, hvilket betyder, at den ikke mister data, når den ikke har strøm, som det gør med normal RAM i dag.

Samsungs 28FDS-baserede eMRAM-løsning tilbyder hidtil uset effekt og hastighedsfordele til en lavere pris. Da eMRAM ikke kræver en klar cyklus inden skrivning af data, er dens skrivehastighed cirka tusind gange hurtigere end eFlash. Derudover bruger eMRAM lavere spændinger end Flash-hukommelser og forbruger ikke elektrisk strøm i slukket tilstand, hvilket resulterer i høj energieffektivitet.

Fordelene i forhold til de hukommelser, der i dag bruges som RAM og Flash-hukommelser, er revolutionerende med latenser på 1ns, højere hastighed og større modstand. EMRAM- erindringerne blev designet til at erstatte den aktuelle RAM- og Flash NAND-hukommelse, selvom vi derfor bliver nødt til at vente lidt.

Det siges, at de første moduler oprettet af Samsung vil have en meget begrænset kapacitet. Det koreanske firma har ikke ønsket at give for meget detaljerede oplysninger om modulerne, de fremstiller, men hensigten er at begynde at teste et 1 GB-modul inden udgangen af ​​2019. Senere planlægger Samsung også at fremstille eMRAM ved hjælp af sin 18FDS-proces samt noder baseret på mere avancerede FinFET'er.

Dette kan være fødslen af ​​en ny æra, når det kommer til computerlagring. Vi følger dens udvikling.

TechpowerupAnandtech font