Samsung begynder masseproduktion af eufs 3.0-moduler

Samsung annoncerede i dag, at det er begyndt at masseproducere branchens første 512 GB eUFS 3.0 integrerede universelle flash-lagringsmoduler til næste generations mobile enheder.

Næste generation af smartphones har kapaciteter op til 1 TB takket være eUFS 3.0

I overensstemmelse med den nyeste eUFS 3.0-specifikation tilbyder den nye Samsung-hukommelse dobbelt så høj hastighed som den foregående eUFS (eUFS 2.1), hvilket giver mulighed for en uovertruffen brugeroplevelse på fremtidige smartphones med store skærme med høj opløsning til to gange tredobbelt lagringskapaciteten på smartphones.

Samsung producerede branchens første UFS-interface med eUFS 2.0 i januar 2015, som var 1, 4 gange hurtigere end datidens mobile hukommelsesstandard, kendt som det integrerede mediekort (eMMC) 5.1. Om blot fire år matcher virksomhedens nye eUFS 3.0 ydeevnen for dagens ultrabook-notebooks.

Samsungs 512GB eUFS 3.0 stabler otte af virksomhedens femte generation 512-gigabit (Gb) V-NAND-arrays og integrerer en højtydende controller. Med 2.100 megabyte pr. Sekund (MB / s) fordobler den nye eUFS den sekventielle læsehastighed af Samsungs seneste eUFS-hukommelse (eUFS 2.1), der blev annonceret i januar. Læsningshastigheden for den nye løsning er fire gange hurtigere end for et SATA solid state-drev (SSD) og 20 gange hurtigere end dagens microSD-kort.

Skrivningshastigheden vil være op til 410 MB / s, det svarer til en nuværende SATA SSD. Det anslås også 63.000 og 68.000 input / output operationer pr. Sekund (IOPS).

Samsung planlægger også at fremstille 1TB eUFS 3.0-moduler i andet halvår.

Techpowerup font