Samsung planlægger at masseprodusere 3nm gaafet-chips i 2021

I midten af ​​sidste år kom der nyheder om, at Samsung planlagde at producere 3nm chips i 2022, men det ser ud til, at det bliver et år tidligt med ankomsten af ​​en ny transistorteknologi kaldet GAAFET.

Samsung begynder at producere 3nm GAAFET-chips i 2021

Samsung har bekræftet, at det planlægger at starte serieproduktion af 3nm Gate-All-Around Field-Effect Transistors (GAAFETs) i 2021 ved hjælp af en type transistor, der er designet til at lykkes med dagens velkendte FinFET'er.

GAAFET-navnet beskriver alt hvad du har brug for at vide om teknologi. Overvinde FinFETs ydeevne og skalabegrænsninger ved at tilbyde fire porte på alle sider af en kanal for at give fuld dækning. Til sammenligning dækker FinFET tre sider af en ventilatorformet kanal. Faktisk tager GAAFET ideen om en tredimensionel transistor til det næste niveau.

Den nye teknologi vil også give den mulighed for at fungere ved lavere spændinger end nu, selvom de ikke har præciseret nøjagtigt, hvordan denne forbedring af energiydelsen vil oversætte.

Samsung har udviklet sin GAAFET-teknologi i flere år, og selskabets tidligere skøn placerer lanceringen af ​​4nm GAAFET-teknologien allerede i 2020. Samsung forventer også, at det vil være det første selskab, der lancerer en 7nm EUV-procesknude., med planer om at starte produktionen senere på året. Dens konkurrent TSMC planlægger også at implementere EUV-teknologien med sin 7nm + -knude.

Hvis Samsungs estimater er korrekte, har virksomheden en chance for at blive verdens førende siliciumproducent i årene fremover, selvom det ikke betyder, at TSMC ikke kan kæmpe.

Overclock3D font