Rambus taler om egenskaber ved ddr5-hukommelse
Indholdsfortegnelse:
For et par dage siden modtog vi de første detaljer om den nye højtydende stablede hukommelsesteknologi HBM3, nu bringer vi dig detaljerne om den nye DDR5, der kommer i løbet af de næste par år for nye generationer af processorer.
DDR5 når 4800 MHz ved 1, 2 V
RAMBUS har frigivet de første egenskaber ved den fremtidige DDR5-hukommelse, der allerede er på et ret avanceret stadie i dens udvikling. Disse nye minder kommer med en basefrekvens på ca. 4800 MHz, så de vil være et godt løft sammenlignet med den nuværende DDR4, Vi kan sige, at den langsomste DDR5 vil være så hurtig som den hurtigste af DDR4 ca.
Efterhånden som årene går, vil disse nye DDR5 vinde fordele, som det sker med alle generationer, dens loft kan være tæt på 6400 MHz, hvilket betyder en maksimal båndbredde på 51, 2 GB / s, fordoble 25, 6 GB / s opnået med den nuværende DDR4-teknologi.
For at gøre alt dette muligt er der taget et stærkt engagement i at forbedre energieffektiviteten, DDR5 vil være i stand til at nå 4800 MHz med en spænding på kun 1, 2V, en vigtig forbedring sammenlignet med den 1.5V, som den nuværende DDR4 har brug for at opnå 4600 MHz. Endelig fremhæver vi, at den maksimale kapacitet for hvert modul hæves til 128 GB, så vi kan se konfigurationer på 512 GB ved kun at bruge fire moduler.
De første DDR5-minder kommer til hele 2019 med en produktionsproces på 10 nm og migrerer derefter til den mest effektive 7 nm.
Rambus arbejder med microsoft for at forbedre hukommelsesydelsen ved kryogene temperaturer
DRAM-minder fungerer med øget ydelse og kapacitet ved kryogene temperaturer. De kan bruges i kvantecomputere eller supercomputere.
Tsmc taler om sin fremstillingsproces ved 5 nm finfet
TSMC planlægger allerede sin procesplan til 5 nm, som den håber at være klar på et tidspunkt i 2020, alle de forbedringer, den vil tilbyde.
Intel taler om spøgelse og nedbrydning ud over sine processer ved 14 nm og 10 nm
I et nyligt konferenceopkald med JP Morgan har Intel behandlet problemer som 10nm produktion, 14nm lang levetid og Specter / Meltdown sårbarheder i detaljer.
